高純度半導体薄膜 (ALD、CVD)前駆体材料を中心に、各種 、先端有機金属前駆体材料を取り扱っております。
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SiN層
| 略称 | 製品名 | CAS No. | 構造式 | 品質 | DIS | Diiodosilane | 13760-02-6 |  |
純度99.9+%(99.99999%-Si) 金属イオン<10ppb 塩素イオン<1ppm |
低誘電率前駆体（Low-κ）
| 略称 | 製品名 | CAS No. | 構造式 | 品質 | BDEAS | Bis(diethylamino) dihydrosilane |
27804-64-4 |  |
純度99.9+%(99.99999%-Si) 金属イオン<10ppb 塩素イオン<1ppm |
| BTBAS | Bis(t-butylamino) silane |
186598-40-3 |  |
純度99.9+%(99.99999%-Si) 金属イオン<10ppb 塩素イオン<1ppm |
| 3DMAS | Tris(dimethylamino)silane | 15112-89-7 |  |
純度99.9+%(99.99999%-Si) 金属イオン<10ppb 塩素イオン<1ppm |
高誘電率前駆体（High-κ）
| 略称 | 製品名 | CAS No. | 構造式 | 品質 | TDMAT | Tetrakis(dimethylamino) titanium(Ⅳ) |
3275-24-9 |  |
99.5+%(99.9999%-Ti) |
| TDMAH | Tetrakis(dimethylamino) hafnium(Ⅳ) |
19782-68-4 |  |
99.5+%(99.9999%-Hf) |
| TEMAH | Tetrakis(ethylmethylamino) hafnium(Ⅳ) |
352535-01-4 |  |
99.5+%(99.9999%-Hf) |
| TEMAZ | Tetrakis(ethylmethylamino) zirconium(Ⅳ) |
175923-04-3 |  |
99.5+%(99.9999%-Zr) |
| Cp-Zr | Cyclopentadienyl tris(dimethylamino) zirconium(Ⅳ) |
33271-88-4 |  |
99.5+%(99.9999%-Zr) |
| Cp-Hf | Cyclopentadienyl tris(dimethylamino) hafnium(Ⅳ) |
941596-80-1 |  |
99.5+%(99.9999%-Hf) |
銅配線層
| 略称 | 製品名 | CAS No. | 構造式 | 品質 | PDMAT | Pentakis(dimethylamino) tantaium(Ⅳ) |
19824-59-0 |  |
99.5+%(99.9999%-Ta) |
| CCTBA | (3,3-Dimethyl-1-butyne) dicobalt hexacarbonyl |
56792-69-9 |  |
99.5+%(99.9999%-Co) |
| Ru(EtCp)2 | Bis(ethylcyclopentadienyl) ruthenium(Ⅱ) |
32992-96-4 |  |
99.5+%(99.9999%-Ru) |
| (MeCp)PtMe3 | Trimethyl (methylcyclopentadienyl) platinum(Ⅳ) |
94442-22-5 |  |
99.5+%(99.9999%-Pt) |
ペロブスカイト太陽電池
| 略称 | 製品名 | CAS No. | 構造式 | 品質 | TDMASn | Tetrakis(dimethyl amino)tin(Ⅳ) |
1066-77-9 |  |
99.5+%(99.9999%-Sn) |
| PbI2 | Lead(Ⅱ) iodide | 10101-63-0 |  |
99.5+%(99.9999%-Pb) |
| PbBr2 | Lead(Ⅱ) bromide | 10031-22-8 |  |
99.5+%(99.9999%-Pb) |